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砷化镓外延衬底市场规模将超越4亿美元

作者:环亚ag88时间:2018-08-13 11:30浏览:

  砷化镓外延衬底市场规模将超越4亿美元

  Strategy Analytics 发布最新年度猜测陈述“半绝缘砷化镓(SI GaAs) 外延衬底商场猜测2008-2013”。陈述总结,2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底商场年增加率到达22%,但 Strategy Analytics 估计2009年该商场将相等或转负增加。环亚平台案例分析:区块链+打车应用解决方案,凭借下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器材,以及来自其它商场对砷化镓 (GaAs) 器材的需求,半绝缘砷化镓(SI GaAs) 外延衬底商场在2010年将康复增加。

  一直以来,供给商都聚集在供给 HBT(Heterojunction Bipolar Transistor),HEMT (High ELectron Mobility Transistor) 和FET (Field Effect Transistor)的外延衬底结构,而目前商场更重视的是多结构组合在一个衬底上的解决方案,以供给 BiFET (Bipolar Field Effect Transistor) 或BiHEMT (Bipolar High Electron Mobility Transistor)器材。

  Strategy Analytics 的GaAs 和化合物半导体技術商场研讨部主管Asif Anwar 表明:“Strategy Analytics 预期,BiFET / BiHEMT 结构的衬底在2008年占一切半绝缘砷化镓 (SI GaAs)外延衬底商场的6%。尽管商场份额还很小,可是因为砷化镓器材制造商期望经过集成解决方案以供给差异化的产品,这一细分商场从现在到2013年期间将以最快速增加。”

  本陈述研讨供给链动态,并对半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底的终究需求驱动要素进行了很多的剖析。到2013年的商场前景猜测成果显现,2008至2013期间,外延衬底商场的复合年增加率为5%。相应地,砷化镓MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 和MBE (Molecular Beam Epitaxy)衬底商场规模在2013年将超越4亿美元。

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