加入收藏在线咨询
位置:主页 > 产品案例 >

硅衬底LED照明暂未发现物理瓶颈

作者:环亚ag88时间:2018-08-14 19:30浏览:

  硅衬底LED照明暂未发现物理瓶颈

  依照led上游资料制备所用的衬底区分,现在已完成工业化的有三种技能道路,即蓝宝石衬底半导体照明、碳化硅衬底半导体照明和硅衬底半导体照明。其间前两条技能道路的中心专利首要把握在日亚、·【IPO否决案例分析】上海丽人丽妆:淘宝起家的互联网分销,丰田组成、科锐、欧司朗、飞利浦等日美欧几大巨子企业手中,而硅衬底上GaN基LED专利技能为我国具有,是完成LED工业打破国际专利封闭的重要技能道路。

  无论是蓝绿光LED仍是红黄光LED,无论是镓氮系统仍是铝镓铟磷系统,无论是蓝宝石、碳化硅、硅衬底仍是砷化镓衬底,超高亮度LED芯片制造技能,均发展到剥离衬底制备薄膜LED道路上来。究其原因:一是外延膜搬运到新基板后,有利于散热,下降结温,进步发光功率,延伸器材寿数;二是经过制造P面反光镜和N面粗化,明显进步出光功率;三是有利于进步芯片作业电流密度。与其它衬底比较,硅衬底半导体照明外延资料,十分合适走剥离衬底薄膜搬运技能道路,并且硅资料比碳化硅和蓝宝石要廉价许多,也简单得到大尺度的衬底,这将明显下降外延资料的成长本钱。

  当然GaN与Si 衬底之间存在热失配、晶格失配等问题,很简单呈现龟裂现象,要在硅衬底上成长高质量的氮化镓基LED确实是一个严峻的应战。在这方面处于国际前列的晶能光电以为,硅衬底LED照明暂未发现物理上的瓶颈,裂纹问题能够经过图形和平面衬底等方法处理,位错密度能够到达3-10×108cm2,且高电流密度下功能安稳。

  GaN/Si LED已走向市场,远景看好。可是现在bonding用金价格偏高,有待寻觅代替计划。其实,SSL还有很多科学技能问题没有处理,所以无论是设备仍是外延芯片,都是机会与应战并存。并且SSL技能进步过快,这也给出资者带来了难题,出资需求慎之又慎。

电话:
传真:
邮编:
地址:环亚娱乐手机下载设计公司